casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GDP12S060D
Número da peça de fabricante | GDP12S060D |
---|---|
Número da peça futura | FT-GDP12S060D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GDP12S060D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 487pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 135°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP12S060D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDP12S060D-FT |
DSEP29-03A
IXYS
DSEP8-02A
IXYS
DSEP8-03A
IXYS
DSS10-0045A
IXYS
DSS16-0045B
IXYS
DSEP15-12CR
IXYS
DSEP30-06BR
IXYS
DSAI35-12A
IXYS
DSA35-16A
IXYS
DSAI75-16B
IXYS
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel