casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU806HD2G
Número da peça de fabricante | GBU806HD2G |
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Número da peça futura | FT-GBU806HD2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GBU806HD2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806HD2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU806HD2G-FT |
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1D RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel