casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU603HD2G
Número da peça de fabricante | GBU603HD2G |
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Número da peça futura | FT-GBU603HD2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GBU603HD2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU603HD2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU603HD2G-FT |
EABS1G REG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS36 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel