casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU4JL-5708E3/51
Número da peça de fabricante | GBU4JL-5708E3/51 |
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Número da peça futura | FT-GBU4JL-5708E3/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU4JL-5708E3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-5708E3/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU4JL-5708E3/51-FT |
F475R07W2H3B51BOMA1
Infineon Technologies
FBS10-12SC
IXYS
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
FS3L50R07W2H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
G2SB60L-5700E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5700E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5752E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-3N
Intel
EP20K160EQC240-3
Intel