casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU1501-G
Número da peça de fabricante | GBU1501-G |
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Número da peça futura | FT-GBU1501-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU1501-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 7.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1501-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1501-G-FT |
DB103-G
Comchip Technology
DB104-G
Comchip Technology
DB106-G
Comchip Technology
DF206ST-G
Comchip Technology
DF206S-G
Comchip Technology
DF206-G
Comchip Technology
DF204ST-G
Comchip Technology
DF204S-G
Comchip Technology
DF204-G
Comchip Technology
DF10S-G
Comchip Technology
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel