Número da peça de fabricante | GBU10D |
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Número da peça futura | FT-GBU10D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU10D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU10D-FT |
VUO160-08NO7
IXYS
VUO125-12NO7
IXYS
VUO110-12NO7
IXYS
VUO110-16NO7
IXYS
VUM33-05N
IXYS
VUM24-05N
IXYS
VUE75-06NO7
IXYS
VBO13-12AO2
IXYS
VBO13-16AO2
IXYS
VBO20-16AO2
IXYS
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel