casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU1008TB
Número da peça de fabricante | GBU1008TB |
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Número da peça futura | FT-GBU1008TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU1008TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1008TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1008TB-FT |
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU601HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU602 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU602HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU603 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
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EP1K100FI256-2N
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5SGXMA7N2F45C3
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5SGXMA7K3F35C4
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A3P125-2FGG144
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LCMXO2280E-4B256C
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LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
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EP4SGX180FF35I4N
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