casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU1007 D2G
Número da peça de fabricante | GBU1007 D2G |
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Número da peça futura | FT-GBU1007 D2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU1007 D2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1007 D2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1007 D2G-FT |
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS103G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS102G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H3F35I4
Intel
A42MX16-2PQG160I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-3N
Intel
EP20K160EQC240-3
Intel