casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU1002HD2G
Número da peça de fabricante | GBU1002HD2G |
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Número da peça futura | FT-GBU1002HD2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GBU1002HD2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1002HD2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1002HD2G-FT |
EABS1D RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel