casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBL10 D2G
Número da peça de fabricante | GBL10 D2G |
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Número da peça futura | FT-GBL10 D2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBL10 D2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10 D2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBL10 D2G-FT |
DBLS107GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel