casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBL10 D2G
Número da peça de fabricante | GBL10 D2G |
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Número da peça futura | FT-GBL10 D2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBL10 D2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10 D2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBL10 D2G-FT |
DBLS107GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS152G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS155G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel