Número da peça de fabricante | GBL06-G |
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Número da peça futura | FT-GBL06-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBL06-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL06-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBL06-G-FT |
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
PBU805
Diodes Incorporated
RS602
Diodes Incorporated
RS605
Diodes Incorporated
PBPC1001
Diodes Incorporated
PBPC1002
Diodes Incorporated
PBPC1003
Diodes Incorporated
PBPC1004
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel