casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJL3510-BP
Número da peça de fabricante | GBJL3510-BP |
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Número da peça futura | FT-GBJL3510-BP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJL3510-BP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 17.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL3510-BP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJL3510-BP-FT |
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10-HF
Comchip Technology
ABS10TR
SMC Diode Solutions
ABS210TR
SMC Diode Solutions
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel