casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJL2008-BP
Número da peça de fabricante | GBJL2008-BP |
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Número da peça futura | FT-GBJL2008-BP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJL2008-BP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL2008-BP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJL2008-BP-FT |
SBR10
Semtech Corporation
SBR10F
Semtech Corporation
SBR1F
Semtech Corporation
SBR2
Semtech Corporation
SBR2F
Semtech Corporation
SBR4
Semtech Corporation
SBR4F
Semtech Corporation
SBR6F
Semtech Corporation
SC3AS15FF
Semtech Corporation
SC3AS2A
Semtech Corporation
EPF8282ATC100-4
Intel
EP1M120F484C7
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9A6U19C7N
Intel
EP2S90F1508I4N
Intel
EP2SGX30DF780I4
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EPF10K30AQI240-3
Intel
5SGSMD3H2F35C2L
Intel