casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3510-F
Número da peça de fabricante | GBJ3510-F |
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Número da peça futura | FT-GBJ3510-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3510-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3510-F-FT |
SC3BH4
Semtech Corporation
SC3BH4F
Semtech Corporation
SC3BH6F
Semtech Corporation
SC3BJ05F
Semtech Corporation
SC3BJ05FF
Semtech Corporation
SC3BJ10FF
Semtech Corporation
SC3BJ15FF
Semtech Corporation
SC3BJ1F
Semtech Corporation
SC3BJ2
Semtech Corporation
SC3BJ4
Semtech Corporation
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel