casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3510-F
Número da peça de fabricante | GBJ3510-F |
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Número da peça futura | FT-GBJ3510-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3510-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3510-F-FT |
SC3BH4
Semtech Corporation
SC3BH4F
Semtech Corporation
SC3BH6F
Semtech Corporation
SC3BJ05F
Semtech Corporation
SC3BJ05FF
Semtech Corporation
SC3BJ10FF
Semtech Corporation
SC3BJ15FF
Semtech Corporation
SC3BJ1F
Semtech Corporation
SC3BJ2
Semtech Corporation
SC3BJ4
Semtech Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel