casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ3510-BP
Número da peça de fabricante | GBJ3510-BP |
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Número da peça futura | FT-GBJ3510-BP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ3510-BP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 17.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510-BP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ3510-BP-FT |
MB106-BP
Micro Commercial Co
MB108
Micro Commercial Co
MB108-BP
Micro Commercial Co
MB805
Micro Commercial Co
MB805-BP
Micro Commercial Co
MB81
Micro Commercial Co
MB81-BP
Micro Commercial Co
MB810
Micro Commercial Co
MB810-BP
Micro Commercial Co
MB82
Micro Commercial Co
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel