casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ2510TB
Número da peça de fabricante | GBJ2510TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ2510TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2510TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2510TB-FT |
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
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MBS2 RCG
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MBS6 RCG
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MBS6HRCG
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MBS8HRCG
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GBU607 D2G
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GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
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