casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ2508-06-G
Número da peça de fabricante | GBJ2508-06-G |
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Número da peça futura | FT-GBJ2508-06-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2508-06-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508-06-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2508-06-G-FT |
KBJ406G
Diodes Incorporated
KBJ610G
Diodes Incorporated
KBJ606G
Diodes Incorporated
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
KBJ6005G
Diodes Incorporated
KBJ602G
Diodes Incorporated
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
SBR05M100BLP-7
Diodes Incorporated
SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation