casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ2506-05-G
Número da peça de fabricante | GBJ2506-05-G |
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Número da peça futura | FT-GBJ2506-05-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2506-05-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2506-05-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2506-05-G-FT |
PBPC606
Diodes Incorporated
PBPC607
Diodes Incorporated
KBJ402G
Diodes Incorporated
KBJ604G
Diodes Incorporated
KBJ608G
Diodes Incorporated
KBJ406G
Diodes Incorporated
KBJ610G
Diodes Incorporated
KBJ606G
Diodes Incorporated
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel