casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ2501-03-G
Número da peça de fabricante | GBJ2501-03-G |
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Número da peça futura | FT-GBJ2501-03-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2501-03-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 4.2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501-03-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2501-03-G-FT |
PBPC1003
Diodes Incorporated
PBPC1004
Diodes Incorporated
PBPC1005
Diodes Incorporated
PBPC1006
Diodes Incorporated
PBPC1007
Diodes Incorporated
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
PBPC804
Diodes Incorporated
PBPC805
Diodes Incorporated
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel