
| Número da peça de fabricante | GBJ1010 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GBJ1010 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| GBJ1010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo de Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
| Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 5A |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GBJ1010 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GBJ1010-FT |

RS405L
Diodes Incorporated

RS405L-F
Diodes Incorporated

RS405LDI-F
Diodes Incorporated

RS407L
Diodes Incorporated

PB605
Diodes Incorporated

PB61
Diodes Incorporated

PB62
Diodes Incorporated

PB62-F
Diodes Incorporated

PB64
Diodes Incorporated

HD01-T
Diodes Incorporated

A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation

A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation

5SGSMD6K2F40C2N
Intel

5SGXMA4K2F40C3N
Intel

5SGXEA7N2F45I2L
Intel

5SGXEA7H1F35C1N
Intel

XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.

M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation

A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation

LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation