casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ10005TB
Número da peça de fabricante | GBJ10005TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ10005TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ10005TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ10005TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ10005TB-FT |
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel