casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / G3SBA80L-6000M3/51
Número da peça de fabricante | G3SBA80L-6000M3/51 |
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Número da peça futura | FT-G3SBA80L-6000M3/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
G3SBA80L-6000M3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA80L-6000M3/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | G3SBA80L-6000M3/51-FT |
CBR2-040
Central Semiconductor Corp
CBR2-080
Central Semiconductor Corp
CBR2-100
Central Semiconductor Corp
CBR35-020PW
Central Semiconductor Corp
CBR35-100PW
Central Semiconductor Corp
CBR4MF-L010
Central Semiconductor Corp
CBR6-010
Central Semiconductor Corp
CBR6-020
Central Semiconductor Corp
CBR6-040
Central Semiconductor Corp
CBR6-060
Central Semiconductor Corp
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
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EP4SE530H40I3N
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A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
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LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
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EP2SGX90FF1508I4
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