casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / G3SBA80-E3/51
Número da peça de fabricante | G3SBA80-E3/51 |
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Número da peça futura | FT-G3SBA80-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
G3SBA80-E3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2.3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA80-E3/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | G3SBA80-E3/51-FT |
GBU4D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel