casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ900R12KE4HOSA1
Número da peça de fabricante | FZ900R12KE4HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FZ900R12KE4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | C |
FZ900R12KE4HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 900A |
Potência - Max | 4300W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 900A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 56nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ900R12KE4HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ900R12KE4HOSA1-FT |
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
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MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel