casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ800R45KL3B5NOSA2
Número da peça de fabricante | FZ800R45KL3B5NOSA2 |
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Número da peça futura | FT-FZ800R45KL3B5NOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FZ800R45KL3B5NOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 4500V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1600A |
Potência - Max | 9000W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 800A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -50°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ800R45KL3B5NOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ800R45KL3B5NOSA2-FT |
FS450R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
FS450R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
FS500R17OE4DBOSA1
Infineon Technologies
FS500R17OE4DPBOSA1
Infineon Technologies
FS50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FS50R06YL4BOMA1
Infineon Technologies
FS50R07N2E4B11BOSA1
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FS50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel