casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / FYPF2010DNTU
Número da peça de fabricante | FYPF2010DNTU |
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Número da peça futura | FT-FYPF2010DNTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FYPF2010DNTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FYPF2010DNTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FYPF2010DNTU-FT |
DSB30C60PB
IXYS
DSB40C15PB
IXYS
DSB60C30PB
IXYS
DSB60C45PB
IXYS
DSB60C60PB
IXYS
DSEC16-06A
IXYS
DSEC16-12A
IXYS
DSSK10-018A
IXYS
DSSK16-01A
IXYS
DSSK20-0045B
IXYS
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel