casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / FYP1010DNTU
Número da peça de fabricante | FYP1010DNTU |
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Número da peça futura | FT-FYP1010DNTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FYP1010DNTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FYP1010DNTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FYP1010DNTU-FT |
SDP20S30
Infineon Technologies
BAV99SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6327XTSA1
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BAS7004SH6327XTSA1
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BAS7004SH6827XTSA1
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BAS16SE6327BTSA1
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BAS16SH6727XTSA1
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BAS7004SE6327HTSA1
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BAS7004SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAV 70S E6433
Infineon Technologies
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel