casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / FT24C512A-UDR-B
Número da peça de fabricante | FT24C512A-UDR-B |
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Número da peça futura | FT-FT24C512A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FT24C512A-UDR-B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 550ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C512A-UDR-B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FT24C512A-UDR-B-FT |
GD25LQ128DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel