casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / FT24C512A-UDR-B
Número da peça de fabricante | FT24C512A-UDR-B |
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Número da peça futura | FT-FT24C512A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FT24C512A-UDR-B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 550ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C512A-UDR-B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FT24C512A-UDR-B-FT |
GD25LQ128DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ256DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel