casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / FT24C32A-UDR-B
Número da peça de fabricante | FT24C32A-UDR-B |
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Número da peça futura | FT-FT24C32A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FT24C32A-UDR-B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 32Kb (4K x 8) |
Freqüência do relógio | 800kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 700ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C32A-UDR-B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FT24C32A-UDR-B-FT |
GD25LQ32DWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CWIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation