casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS35R12W1T4B11BOMA1
Número da peça de fabricante | FS35R12W1T4B11BOMA1 |
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Número da peça futura | FT-FS35R12W1T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 65A |
Potência - Max | 225W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS35R12W1T4B11BOMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS35R12W1T4B11BOMA1-FT |
FP15R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B11BOMA1
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FP15R12W1T4B3BOMA1
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FP15R12W1T4BOMA1
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FP15R12W2T4BOMA1
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FP15R12YT3BOMA1
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FP20R06KL4BOMA1
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FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel