casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS225R17OE4BOSA1
Número da peça de fabricante | FS225R17OE4BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS225R17OE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | EconoPACK™+ |
FS225R17OE4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 350A |
Potência - Max | 1450W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 225A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS225R17OE4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS225R17OE4BOSA1-FT |
FP10R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B29BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
EP20K60ETC144-2
Intel
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation