casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS150R07N3E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS150R07N3E4B11BOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FS150R07N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS150R07N3E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 430W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R07N3E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS150R07N3E4B11BOSA1-FT |
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
FMG1G50US60L
ON Semiconductor
FMG1G75US60H
ON Semiconductor
FMG1G75US60L
ON Semiconductor
FMG2G100US60
ON Semiconductor
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation