casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS10R06VE3B2BOMA1
Número da peça de fabricante | FS10R06VE3B2BOMA1 |
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Número da peça futura | FT-FS10R06VE3B2BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS10R06VE3B2BOMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 16A |
Potência - Max | 50W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 550pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS10R06VE3B2BOMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS10R06VE3B2BOMA1-FT |
FF600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF75R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel