casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS10R06VE3B2BOMA1
Número da peça de fabricante | FS10R06VE3B2BOMA1 |
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Número da peça futura | FT-FS10R06VE3B2BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS10R06VE3B2BOMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 16A |
Potência - Max | 50W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 550pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS10R06VE3B2BOMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS10R06VE3B2BOMA1-FT |
FF600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF75R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel