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ON Semiconductor FQU13N06LTU-WS

Name: FQU13N06LTU-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQU13N06LTU-WS
Price: 0.88 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (345 reviews)

Número da peça MFG: FQU13N06LTU-WS

Quantidade disponível: 14340 Peças

Preço de referência: USD 0.88

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQU13N06LTU-WS.pdf

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FQU13N06LTU-WS Especificações

Número da peça de fabricante	FQU13N06LTU-WS
Número da peça futura	FT-FQU13N06LTU-WS
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQU13N06LTU-WS Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I-PAK
Pacote / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU13N06LTU-WS Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQU13N06LTU-WS-FT

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