casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQU10N20LTU
Número da peça de fabricante | FQU10N20LTU |
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Número da peça futura | FT-FQU10N20LTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQU10N20LTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I-PAK |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQU10N20LTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQU10N20LTU-FT |
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