casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQT13N06LTF

| Número da peça de fabricante | FQT13N06LTF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FQT13N06LTF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | QFET® |
| FQT13N06LTF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-223-4 |
| Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQT13N06LTF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FQT13N06LTF-FT |

HUF75321D3
ON Semiconductor

HUF75329D3
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGTFC7H3F35I3G
Intel

EP1C4F400C8
Intel

EP20K200EBC356-1
Intel