casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF9N90C
Número da peça de fabricante | FQPF9N90C |
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Número da peça futura | FT-FQPF9N90C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF9N90C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 900V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 68W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9N90C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF9N90C-FT |
FQPF19N10L
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FQPF19N20
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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