casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF7P06
Número da peça de fabricante | FQPF7P06 |
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Número da peça futura | FT-FQPF7P06 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF7P06 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 410 mOhm @ 2.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 24W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF7P06 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF7P06-FT |
FQPF13N50C_F105
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5SGSED8K2F40I2N
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XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel