casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF55N10
Número da peça de fabricante | FQPF55N10 |
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Número da peça futura | FT-FQPF55N10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF55N10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 34.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 17.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF55N10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF55N10-FT |
FDPF14N30T
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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A42MX36-1PQG208I
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EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation