casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF3N60
Número da peça de fabricante | FQPF3N60 |
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Número da peça futura | FT-FQPF3N60 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF3N60 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 34W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF3N60 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF3N60-FT |
FCPF11N60_G
ON Semiconductor
FCPF11N65
ON Semiconductor
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XC6SLX100T-N3FG900C
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Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
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EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
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