casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF2N30
Número da peça de fabricante | FQPF2N30 |
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Número da peça futura | FT-FQPF2N30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF2N30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 300V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.34A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 Ohm @ 670mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 16W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF2N30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF2N30-FT |
FQPF15P12
ON Semiconductor
FCPF7N60NT
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
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EPF10K130EQC240-3N
Intel