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ON Semiconductor FQN1N60CBU

Name: FQN1N60CBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQN1N60CBU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (272 reviews)

Número da peça MFG: FQN1N60CBU

Quantidade disponível: 81100 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQN1N60CBU.pdf

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FQN1N60CBU Especificações

Número da peça de fabricante	FQN1N60CBU
Número da peça futura	FT-FQN1N60CBU
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQN1N60CBU Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92-3
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQN1N60CBU Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQN1N60CBU-FT

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