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ON Semiconductor FQI27N25TU-F085

Name: FQI27N25TU-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQI27N25TU-F085
Availability: InStock
Rating: 4.6 (274 reviews)

Número da peça MFG: FQI27N25TU-F085

Quantidade disponível: 76770 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQI27N25TU-F085.pdf

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FQI27N25TU-F085 Especificações

Número da peça de fabricante	FQI27N25TU-F085
Número da peça futura	FT-FQI27N25TU-F085
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
FQI27N25TU-F085 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	25.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.13W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	I2PAK (TO-262)
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI27N25TU-F085 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQI27N25TU-F085-FT

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