casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQH44N10
Número da peça de fabricante | FQH44N10 |
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Número da peça futura | FT-FQH44N10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQH44N10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 180W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQH44N10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQH44N10-FT |
GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M016A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060F
Global Power Technologies Group
GP1M016A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M018A020FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050FG
Global Power Technologies Group
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
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