casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQH140N10
Número da peça de fabricante | FQH140N10 |
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Número da peça futura | FT-FQH140N10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQH140N10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7900pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQH140N10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQH140N10-FT |
GP1M012A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M013A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M015A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M016A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060F
Global Power Technologies Group
GP1M016A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M018A020FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060FG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065FG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060FG
Global Power Technologies Group
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel