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ON Semiconductor FQE10N20CTU

Name: FQE10N20CTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQE10N20CTU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (244 reviews)

Número da peça MFG: FQE10N20CTU

Quantidade disponível: 29910 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQE10N20CTU.pdf

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FQE10N20CTU Especificações

Número da peça de fabricante	FQE10N20CTU
Número da peça futura	FT-FQE10N20CTU
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQE10N20CTU Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	12.8W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-126-3
Pacote / caso	TO-225AA, TO-126-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQE10N20CTU Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQE10N20CTU-FT

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