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ON Semiconductor FQD8P10TM_F080

Name: FQD8P10TM_F080
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD8P10TM_F080
Availability: InStock
Rating: 4.8 (445 reviews)

Número da peça MFG: FQD8P10TM_F080

Quantidade disponível: 85070 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQD8P10TM_F080.pdf

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FQD8P10TM_F080 Especificações

Número da peça de fabricante	FQD8P10TM_F080
Número da peça futura	FT-FQD8P10TM_F080
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQD8P10TM_F080 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D-Pak
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD8P10TM_F080 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQD8P10TM_F080-FT

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