casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD2N80TM
Número da peça de fabricante | FQD2N80TM |
---|---|
Número da peça futura | FT-FQD2N80TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQD2N80TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD2N80TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQD2N80TM-FT |
FDD8782
ON Semiconductor
FQD2N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQD2N90TM
ON Semiconductor
FQD4N25TM-WS
ON Semiconductor
IRFR3710ZTRPBF
Infineon Technologies
IRLR8726TRPBF
Infineon Technologies
IRFR5305TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
IRFR120NTRPBF
Infineon Technologies
IRLR2703TRPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel