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ON Semiconductor FQD2N100TM

Número da peça MFG
FQD2N100TM
Quantidade disponível
69260 Peças
Preço de referência
USD 0.482088
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
QFET® MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FQD2N100TM.pdf
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FQD2N100TM Especificações

Número da peça de fabricante FQD2N100TM
Número da peça futura FT-FQD2N100TM
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series QFET®
FQD2N100TM Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D-Pak
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD2N100TM Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FQD2N100TM-FT

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