casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD1N60CTM
Número da peça de fabricante | FQD1N60CTM |
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Número da peça futura | FT-FQD1N60CTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQD1N60CTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD1N60CTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQD1N60CTM-FT |
FDD7N20TM
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FDD8447L-F085
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10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
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5SGXEA5K1F35I2N
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XC6VLX365T-1FF1156I
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LCMXO2-7000HE-6BG332C
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